Wire Wound Chip Power Inductors
繞線式晶片功率電感
Wire Wound Chip Power Inductors 繞線式晶片功率電感，屬於磁膠屏蔽電感設計， 具備高電流承載能力、低 DCR、高 Q 值、良好溫度穩定性與高可靠性。 GDNR 系列適用於 DC/DC Converter、電源電路、RF 模組、手機、GPS 接收器與 EMI 抑制應用， 可在小型化 PCB 中兼顧效率、穩定性與抗干擾能力。
高電流、低損耗與高 Q 值的繞線式功率電感
高電流承載能力
繞線結構允許較大電流通過，適合高功率電源轉換與電流敏感電路應用。
低 DCR 設計
DCR 範圍為 0.008Ω ~ 1.67Ω，可降低導通損耗、提升能源轉換效率並減少溫升。
高 Q 值特性
高 Q Factor 表示在特定頻率下能量損耗較低，適合 RF、濾波與高效率電源應用。
磁膠屏蔽結構
磁膠屏蔽設計可降低漏磁與 EMI 干擾，提升周邊電路的穩定性。
良好溫度穩定性
在不同溫度條件下仍可維持穩定電性，適合高溫、高濕與長時間運作環境。
高可靠性
結構可承受機械衝擊與壓力，適合需要耐用性與穩定性的電子設備。
小型化尺寸
尺寸範圍為 201601 ~ 8040，可對應高密度 PCB 與可攜式產品設計。
EMI 抑制能力
可有效抑制電子設備次級側訊號的電磁干擾，協助改善 EMC 表現。
GDNR 系列規格與尺寸範圍
系列與尺寸
GDNR 系列為磁膠屏蔽繞線式晶片功率電感，可依 PCB 空間、電流能力與電源架構需求選型。
電氣規格重點
可依電感值、飽和電流、DCR、Q 值與 EMI 抑制需求，選擇合適的繞線式晶片功率電感規格。
繞線式晶片功率電感的性能優勢
繞線式晶片功率電感的主要特性包含 高電流承載能力、低直流電阻 DCR、高 Q 值、良好溫度穩定性與高可靠性。 相較於一般片式電感，繞線結構可承受較高電流，並在高頻濾波與功率轉換中提供更佳的效率表現。
其磁膠屏蔽結構可有效降低漏磁與電磁干擾，適合高密度電子產品、RF 模組、GPS 接收器、手機與次級側訊號 EMI 抑制設計。 同時，較佳的機械強度可提升耐衝擊、耐壓力與高溫高濕環境下的可靠度。
Wire Wound Chip Power Inductors 常見應用領域
DC/DC Converter
適用於降壓、升壓、電源轉換與高效率電源管理電路。
手機與可攜式裝置
可用於手機、穿戴裝置、手持設備與高密度小型化 PCB 電源設計。
GPS 接收器
適合 GPS 接收器與敏感訊號電路中的電源濾波與 EMI 抑制。
RF 模組
高 Q 值特性適合射頻模組、濾波電路與高頻訊號相關應用。
電源電路
可應用於電流敏感、分壓與各類電子產品電源線路。
EMI 抑制
適用於電子設備次級側訊號的電磁干擾抑制與 EMC 改善。
高功率應用
繞線結構可承受較大電流，適合需要較高功率處理能力的產品。
工業與通訊設備
可用於工業控制板、通訊設備、電源模組與長時間穩定運作設備。
Wire Wound Chip Power Inductors 選型建議
先確認電源架構、切換頻率與目標電感值，選擇符合 0.47uH ~ 100uH 範圍的 GDNR 規格。
依最大負載電流與瞬態電流需求確認 Saturation Current，避免高負載下電感飽和。
依效率、溫升與壓降需求評估 DCR，低 DCR 可降低功率損耗並提升系統效率。
若應用於 RF、GPS 或 EMI 抑制，建議同時評估 Q 值、屏蔽效果、尺寸與實際 EMC 測試結果。
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